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第259章 p型n型共掺杂（第3页）

n型掺杂，或者说磷掺杂金刚石，之所以难。

是因为磷原子比碳原子大，很难嵌入金刚石晶格。

当磷原子进入金刚石晶格内，会引起晶格扭曲，影响金刚石中的构型、键型和电荷分布。

磷掺杂金刚石中存在大量空位，也会与磷原子形成结合力很强的磷—空位缺陷。

这种缺陷的能级位于金刚石导带底约1.7eV的位置上，可以补偿施主，阻碍磷原子的电离。

进而导致难以获得高质量的磷掺杂金刚石薄膜。

虽然磷的能级位于导带底以下0.58eV，但是这种缺陷却还是存在。

“缺陷的填补……”

陈舟手中的动作加快，鼠标的滚轮不断滑动。

屏幕上的内容被陈舟拉到了共掺杂的部分。

【氮原子处于金刚石晶格中的替代位置，会形成激发能量为1.7eV的深施主能级，在室温下不导电……】

【理论上，磷可以作为浅施主杂质，但磷原子的半径大于碳原子半径，很难掺入金刚石晶格中……】

【理论表明，磷—氮共掺的方法，也许是克服宽禁带和超宽禁带半导体自身补偿的一种有效方法……】

【……】

看到这，陈舟手中的速度不自觉的慢了下来。

如果氮原子能够填补缺陷，磷原子的掺杂就有了空间……

本来是准备先解决n型掺杂问题的，结果这一思考，问题就跳跃到了共掺杂？

因为四十三所的n型掺杂实验，采用的是磷掺杂。

所以在共掺杂中，他们研究的便是磷—氮共掺的方法。

这也使得陈舟就这样把两者联系在了一起。

陈舟不由得在心中笑了笑，但也随即便决定将n型掺杂和共掺杂的问题放在一块解决。

在共掺杂实验中，最早被作为磷源的是PH3，被作为氮源的是N2。

但是，采用这两种气体进行实验时，得到的结果却并不理想。

制备出来的掺杂金刚石膜的电阻率很高。

随后的实验中，磷源和氮源的选择被不断变更。

像是NH4H2P04这种包含磷元素和氮元素的单一掺杂源，也被应用到了研究上。

但得到的金刚石膜的电阻率依然很高。

陈舟又看了一眼四十三所的实验数据，随即开始在草稿纸上整理可以作为氮源和磷源的物质。

在陈舟沉浸在研究中时，房间外的天色已经渐渐暗了下来。

“陈舟。”

被沈靖的声音喊醒，陈舟疑惑的抬起头看着沈靖。

沈靖指了指电脑：“数据分析完成了。”

“噢。”陈舟应了一声，起身走到沈靖旁边看了一眼。

分析的结果和他的预料基本上没有多大差别。

“发给我，我做最后的处理。”

沈靖点点头：“好。”

陈舟转身就准备走回座位，这时沈靖拽住了他，指了指电脑屏幕的右下角。

陈舟看了一眼，这才惊觉居然已经六点半了。

想了想，陈舟并不打算在四十三所加班，还是回酒店舒服些。

于是，两个人把资料整理好，跟彭飞那边说了一声，便离开了四十三所。

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